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Avis des consommateurs: Excellent

Détails

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. 

Fiche technique

Principales caractéristiques

Désignation de type: STP15N80K5

  • Code de marquage: 15N80K5
  • Type de transistor: MOSFET
  • Type de canal de contrôle: N -Canal
  • Dissipation de puissance maximale (): 190 W
  • Tension maximale de la source de vidange - Vds-: 800 V
  • Tension maximale de la source de grille - Vgs-: 30 V
  • Tension maximale de seuil de grille - Vgs(th)-: 5 V
  • Courant de vidange maximal - Identité-: 14 Un

Descriptif technique

  • SKU: GE232IP121LN8NAFAMZ
  • Poids (kg): 2
  • Couleur: اسود
  • Matière principale: semi condicteur

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MOSFET 15N80K

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