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Avis des consommateurs: Excellent
Détails
These very high voltage N-channel Power
MOSFETs are designed using MDmesh™ K5
technology based on an innovative proprietary
vertical structure. The result is a dramatic
reduction in on-resistance and ultra-low gate
charge for applications requiring superior power
density and high efficiency.
Fiche technique
Principales caractéristiques
Désignation de type: STP15N80K5
- Code de marquage: 15N80K5
- Type de transistor: MOSFET
- Type de canal de contrôle: N -Canal
- Dissipation de puissance maximale (): 190 W
- Tension maximale de la source de vidange - Vds-: 800 V
- Tension maximale de la source de grille - Vgs-: 30 V
- Tension maximale de seuil de grille - Vgs(th)-: 5 V
- Courant de vidange maximal - Identité-: 14 Un
Descriptif technique
- SKU: GE232IP121LN8NAFAMZ
- Poids (kg): 2
- Couleur: اسود
- Matière principale: semi condicteur
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MOSFET 15N80K
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