FQA38N30 Transistor Mosfet QFET à Canal N 38.4A 300V

Caractéristiques Principales Voici les spécifications clés du FQA38N30 : Type de Transistor : MOSFET QFET à canal N (mode d'enrichissement). Tension Drain-Source (VDSS) : 300 V maximum. Courant de Drain Continu (ID) : 38,4 A (à TC = 25°C). Résistance Drain-Source à l'état passant (RDS(on)) : 85 mΩ (maximum à VGS = 10 V, ID = 19,2 A), ce qui minimise les pertes de puissance. Charge de Grille (Qg) : Faible (généralement 90 nC), permettant des performances de commutation rapides. Boîtier : TO-3PN (ou TO-3P). Énergie d'avalanche à impulsion unique (EAS) : 1500 mJ. Applications Grâce à sa technologie avancée (technologie planaire stripe et DMOS de Fairchild/onsemi), ce transistor offre des performances de commutation supérieures et une grande robustesse aux impulsions de haute énergie. Il est adapté pour diverses applications, notamment : Alimentations à découpage (SMPS) à haut rendement. Correction du facteur de puissance (PFC). Alimentations de téléviseurs à écran plat (FPD TV power). Ballasts de lampes électroniques. Fabricant Le FQA38N30 est produit par Fairchild Semiconductor (désormais partie d'onsemi). En résumé, le FQA38N30 est un composant puissant et efficace, idéal pour les circuits électroniques nécessitant une gestion fiable de la puissance et une commutation rapide.