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2SK3878 Transistor Mosfet à Canal N 9A 900V

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Détails

Caractéristiques principales Voici les spécifications techniques clés du transistor 2SK3878 : Type de canal : N (Canal N) Tension Drain-Source (Vdss) : 900 V (maximum) Courant de Drain continu (Id) : 9 A (maximum) à 25°C Résistance Drain-Source à l'état passant (Rds(on)) : 1,0 ohm (typique) Tension de seuil de grille (Vgs(th)) : 3 V (typique) à 4 V (maximum) Tension Grille-Source (Vgs) : ±30 V (maximum) Boîtier : TO-3PN (ou TO-247/TO-3P) Montage : Traversant (THT) Admittance de transfert direct élevée (|Yfs|) : 7,0 S (typique) Commutation rapide : Conçu pour des applications de commutation à haute vitesse Applications typiques Ce transistor est polyvalent et trouve son utilité dans de nombreux domaines : Alimentations à découpage (SMPS) Convertisseurs DC-DC Circuits de commande de moteurs Systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) Régulateurs à découpage Applications de soudage électrique (machines à souder) Le 2SK3878 est apprécié pour sa construction robuste, sa faible résistance à l'état passant et ses capacités de commutation rapide, ce qui le rend adapté aux applications de puissance nécessitant efficacité et fiabilité.

Fiche technique

Principales caractéristiques

Le 2SK3878 est un transistor MOSFET à canal N de puissance, conçu principalement pour les applications de régulateur de commutation. Fabriqué par Toshiba, il est reconnu pour ses caractéristiques robustes et est largement utilisé dans diverses applications d'électronique de puissance.