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Informations sur le vendeur
Ectroshop
66%Évaluation du vendeur
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Performance vendeur
Taux d'expédition des commandes: Très Mauvais
Score Qualité: Excellent
Avis des consommateurs: Excellent
Détails
- Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry.
Fiche technique
Principales caractéristiques
- Package: TO-220-3
- Polarité du transistor: N-Channel
- Nombre de canaux: 1 Channel
- Tension : 60V
- Courant continu : 49 A
- Résistance drain-source: 17.5 mOhms
- Tension grille-source: – 20 V, + 20 V
- Température de fonctionnement min.: – 55 C
- Température de fonctionnement max.: + 175 C
Vendu avec le produit
Descriptif technique
- SKU: GE232IP07LLS4NAFAMZ
- Modèle: 2022
- Poids (kg): 0.2
- Couleur: اسود
- Matière principale: semi condicteur
Commentaires des clients
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Commentaires (1)
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elhakmaoui20191@gmail.com
Sans sac de selle
23-10-2023par elhakmaoui20191@gmail.com
Achat vérifié
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2pcs TRANSISTOR IRFZ44N
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